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中微公司2025年上半年?duì)I收49.61億元，凈利7.06億元，刻蝕設(shè)備銷售增長(zhǎng)40.12%，LPCVD設(shè)備銷售激增608.19%。

華虹半導(dǎo)體擬收購(gòu)華力微控股權(quán)，解決同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)問(wèn)題，整合65/55nm至40nm工藝資產(chǎn)，提升生產(chǎn)效率。

橫店集團(tuán)東磁股份有限公司近日公開(kāi)了一項(xiàng)名為“硅片檢測(cè)剔除系統(tǒng)及硅片檢測(cè)剔除方法”的發(fā)明專利，該系統(tǒng)通過(guò)自動(dòng)化技術(shù)有效清除硅片生產(chǎn)中的疊片及碎片問(wèn)題。

蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司近日公開(kāi)了一項(xiàng)新型IGBT器件的制造方法，該方法通過(guò)減少光刻工藝次數(shù)，顯著降低了制造成本。

合肥晶合集成電路股份有限公司近日公開(kāi)了一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法”的發(fā)明專利，該專利通過(guò)創(chuàng)新的兩步通孔形成技術(shù)，有效解決了半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵問(wèn)題。

上海感圖網(wǎng)絡(luò)科技有限公司近日公開(kāi)了一項(xiàng)名為“晶圓背面缺陷檢測(cè)方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)”的發(fā)明專利，該技術(shù)旨在提高晶圓背面缺陷檢測(cè)的效率。

中國(guó)電子工程設(shè)計(jì)院股份有限公司近日公開(kāi)了一項(xiàng)新型超純水二階凈化設(shè)備及凈化工藝的發(fā)明專利，該技術(shù)旨在為納米半導(dǎo)體制造提供更高品質(zhì)的超純水。

中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司與中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司聯(lián)合申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“對(duì)晶圓產(chǎn)品進(jìn)行分類的方法和系統(tǒng)”的發(fā)明專利。該專利通過(guò)外部特征和出貨量數(shù)據(jù)對(duì)晶圓產(chǎn)品進(jìn)行雙重分類，旨在簡(jiǎn)化

盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司近日公開(kāi)了一項(xiàng)名為“電鍍?cè)O(shè)備及電鍍方法”的發(fā)明專利，該技術(shù)通過(guò)創(chuàng)新的攪拌機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)模式，顯著提高了電鍍效率并實(shí)現(xiàn)了均勻電鍍效果。

盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司近日公開(kāi)了一項(xiàng)名為“電鍍?cè)O(shè)備的攪拌機(jī)構(gòu)、電鍍?cè)O(shè)備及電鍍方法”的發(fā)明專利，該技術(shù)通過(guò)優(yōu)化攪拌機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)，有效解決了半導(dǎo)體制造過(guò)程中晶圓缺口區(qū)域電鍍高度過(guò)高的問(wèn)題。

三星電子正在對(duì)其下一代2nm先進(jìn)制程進(jìn)行量產(chǎn)測(cè)試，初始良率超出預(yù)期。公司計(jì)劃于2025年上半年啟動(dòng)試生產(chǎn)，并已獲得多家企業(yè)的代工訂單。