商業(yè)
英偉達向英特爾投資 50 億美元，雙方將聯(lián)合開發(fā)芯片
英偉達投資50億美元與英特爾合作，整合AI與x86生態(tài)，聯(lián)合開發(fā)PC和數(shù)據(jù)中心芯片，推動下一代計算發(fā)展。
楊亮
2小時前
DoNews >
公司新聞 >
盛美半導體推出新型電鍍設備攪拌機構，提升半導體制造精度
盛美半導體推出新型電鍍設備攪拌機構，提升半導體制造精度
2024-12-31 12:59:16
天眼查App顯示，盛美半導體設備（上海）股份有限公司于2023年6月29日申請了一項名為“電鍍設備的攪拌機構、電鍍設備及電鍍方法”的發(fā)明專利，并于2024年12月31日正式公開。該專利涉及半導體制造技術領域，旨在提升電鍍工藝的精度和一致性。
該專利的核心創(chuàng)新在于攪拌機構的設計。攪拌機構分為遮擋區(qū)域和攪拌區(qū)域，遮擋區(qū)域用于減弱該區(qū)域的流場，而攪拌區(qū)域則包含多個平行設置的第一槳葉。在晶圓電鍍過程中，當晶圓缺口位于遮擋區(qū)域時，晶圓的轉速為第一轉速；當晶圓缺口位于攪拌區(qū)域時，晶圓的轉速為第二轉速，且第一轉速小于第二轉速。這種設計有效降低了晶圓缺口在遮擋區(qū)域內接收到的金屬離子總量，從而避免了電鍍工藝過程中晶圓缺口周邊區(qū)域電鍍高度過高的現(xiàn)象。
該技術的應用有望顯著提升半導體制造的質量和效率，減少因電鍍不均勻導致的廢品率。盛美半導體設備（上海）股份有限公司表示，該專利的推出將進一步鞏固其在半導體設備制造領域的領先地位，并為行業(yè)帶來新的技術突破。
風險警告：本文根據(jù)網(wǎng)絡內容由AI生成，內容僅供參考，不應作為專業(yè)建議或決策依據(jù)。用戶應自行判斷和驗證信息的準確性和可靠性，本站不承擔可能產(chǎn)生的任何風險和責任。內容如有問題，可聯(lián)系本站刪除。
網(wǎng)站信息
