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天眼查App顯示，盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司于2023年6月29日申請了一項名為“電鍍設(shè)備的攪拌機構(gòu)、電鍍設(shè)備及電鍍方法”的發(fā)明專利，并于2024年12月31日正式公開。該專利涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，旨在提升電鍍工藝的精度和一致性。

該專利的核心創(chuàng)新在于攪拌機構(gòu)的設(shè)計。攪拌機構(gòu)分為遮擋區(qū)域和攪拌區(qū)域，遮擋區(qū)域用于減弱該區(qū)域的流場，而攪拌區(qū)域則包含多個平行設(shè)置的第一槳葉。在晶圓電鍍過程中，當(dāng)晶圓缺口位于遮擋區(qū)域時，晶圓的轉(zhuǎn)速為第一轉(zhuǎn)速；當(dāng)晶圓缺口位于攪拌區(qū)域時，晶圓的轉(zhuǎn)速為第二轉(zhuǎn)速，且第一轉(zhuǎn)速小于第二轉(zhuǎn)速。這種設(shè)計有效降低了晶圓缺口在遮擋區(qū)域內(nèi)接收到的金屬離子總量，從而避免了電鍍工藝過程中晶圓缺口周邊區(qū)域電鍍高度過高的現(xiàn)象。

該技術(shù)的應(yīng)用有望顯著提升半導(dǎo)體制造的質(zhì)量和效率，減少因電鍍不均勻?qū)е碌膹U品率。盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司表示，該專利的推出將進一步鞏固其在半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并為行業(yè)帶來新的技術(shù)突破。

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