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天眼查App顯示，合肥晶合集成電路股份有限公司于2024年12月4日公開(kāi)了一項(xiàng)重要的發(fā)明專(zhuān)利，專(zhuān)利名稱(chēng)為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法”，專(zhuān)利號(hào)為CN202411766745.9。該專(zhuān)利由朱小鋒發(fā)明，華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司代理。

該專(zhuān)利涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法，主要包括提供襯底、形成第一介質(zhì)層、形成第一通孔、形成犧牲層、形成第二介質(zhì)層、形成第二通孔以及去除犧牲層等步驟。通過(guò)兩步通孔形成刻蝕通孔，該技術(shù)有效防止了現(xiàn)有技術(shù)中由于高深寬比和刻蝕的微負(fù)載效應(yīng)而出現(xiàn)的通孔底部沒(méi)打開(kāi)或者通孔內(nèi)導(dǎo)線(xiàn)的電阻偏大的問(wèn)題。

該專(zhuān)利的意想不到的效果是確保通孔底部被完全打開(kāi)，降低通孔內(nèi)導(dǎo)線(xiàn)的電阻，避免形成寄生電容，從而提高器件的性能。這一創(chuàng)新技術(shù)有望在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域帶來(lái)顯著的技術(shù)進(jìn)步和應(yīng)用前景。

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