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天眼查App顯示，合肥晶合集成電路股份有限公司于2024年12月4日公開了一項重要的發(fā)明專利，專利名稱為“半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法”，專利號為CN202411766745.9。該專利由朱小鋒發(fā)明，華進聯(lián)合專利商標代理有限公司代理。

該專利涉及一種半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法，主要包括提供襯底、形成第一介質(zhì)層、形成第一通孔、形成犧牲層、形成第二介質(zhì)層、形成第二通孔以及去除犧牲層等步驟。通過兩步通孔形成刻蝕通孔，該技術(shù)有效防止了現(xiàn)有技術(shù)中由于高深寬比和刻蝕的微負載效應而出現(xiàn)的通孔底部沒打開或者通孔內(nèi)導線的電阻偏大的問題。

該專利的意想不到的效果是確保通孔底部被完全打開，降低通孔內(nèi)導線的電阻，避免形成寄生電容，從而提高器件的性能。這一創(chuàng)新技術(shù)有望在半導體制造領域帶來顯著的技術(shù)進步和應用前景。

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