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天眼查App顯示，蘇州東微半導體股份有限公司于2024年9月29日公開了一項名為“IGBT器件的制造方法”的發(fā)明專利，專利號為CN202411371352.8。該專利由劉偉、王鵬飛、陳鑫和劉磊共同發(fā)明，屬于IGBT器件技術領域。

該制造方法包括在n型半導體層內(nèi)形成若干個第一溝槽，通過傾斜的離子注入形成溝道注入?yún)^(qū)和p型體區(qū)，通過垂直的離子注入形成n型電荷存儲區(qū)，并通過自對準工藝形成第一柵極和第二溝槽。這一方法顯著減少了IGBT器件制造過程中的光刻工藝次數(shù)，從而降低了制造成本。

蘇州東微半導體股份有限公司位于江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)20棟515室，此次公開的專利展示了公司在半導體技術領域的創(chuàng)新能力。

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