国产一区高清|日韩精品一区人妻|曰夲AV一区二区|美日韩一区二区三区|国产喷水在线观看|狼友网站成人大全|欧美日韩制服中文视频在线|久草加勒比手机在线|婷婷色综合无码专区|japanese 精品视频在线观看

天眼查App顯示，近日，中芯國際集成電路制造（北京）有限公司和上海有限公司聯(lián)合公開了一項名為“半導體結(jié)構(gòu)及形成方法”的發(fā)明專利，專利號為CN202310781088.4。該專利涉及一種新型半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，旨在通過優(yōu)化晶圓鍵合技術(shù)，提升半導體器件的整體性能。

根據(jù)專利摘要，該半導體結(jié)構(gòu)包括第一晶圓和第二晶圓，兩者通過鍵合面相互連接。第一晶圓和第二晶圓的鍵合面上分別設(shè)有鍵合標記，且晶圓的邊緣側(cè)壁具有定位缺口。通過精確對準鍵合標記，并確保定位缺口的投影不重疊，該技術(shù)能夠有效減少鍵合過程中的誤差，從而提高半導體結(jié)構(gòu)的可靠性和性能。

中芯國際作為中國領(lǐng)先的半導體制造企業(yè)，一直致力于技術(shù)創(chuàng)新和工藝優(yōu)化。此次公開的專利不僅展示了公司在半導體制造領(lǐng)域的技術(shù)實力，也為未來半導體器件的性能提升提供了新的解決方案。

該專利預計將于2024年12月31日正式公布，屆時將進一步推動半導體行業(yè)的技術(shù)進步。

風險警告：本文根據(jù)網(wǎng)絡(luò)內(nèi)容由AI生成，內(nèi)容僅供參考，不應作為專業(yè)建議或決策依據(jù)。用戶應自行判斷和驗證信息的準確性和可靠性，本站不承擔可能產(chǎn)生的任何風險和責任。內(nèi)容如有問題，可聯(lián)系本站刪除。