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天眼查App顯示，北京憶芯科技有限公司于2023年6月29日申請了一項(xiàng)名為“NVMe控制器的NVMe寫IO發(fā)起電路”的發(fā)明專利，并于2024年12月31日公開。該專利涉及存儲技術(shù)領(lǐng)域，特別是針對NVMe控制器的寫IO發(fā)起電路進(jìn)行了創(chuàng)新設(shè)計。

該專利的核心技術(shù)包括DMA命令生成電路和存儲命令生成電路。DMA命令生成電路與DMA傳輸電路耦合，能夠基于接收到的尋址信息生成DMA命令，指示從主機(jī)內(nèi)存到存儲設(shè)備緩存的數(shù)據(jù)搬移。存儲命令生成電路則與DMA傳輸電路和存儲命令處理單元耦合，在接收到DMA命令處理完成的消息后，生成存儲命令，指示從存儲設(shè)備緩存到閃存的數(shù)據(jù)搬移。

該技術(shù)的亮點(diǎn)在于其獨(dú)立于CPU的硬件電路設(shè)計，將生成DMA命令的任務(wù)從CPU卸載，從而顯著減輕了CPU的負(fù)擔(dān)，提升了存儲設(shè)備的整體性能。這一創(chuàng)新不僅提高了數(shù)據(jù)傳輸效率，還為未來存儲技術(shù)的發(fā)展提供了新的思路。

北京憶芯科技有限公司位于北京市海淀區(qū)，是一家專注于存儲技術(shù)研發(fā)的高科技企業(yè)。此次專利的公開，標(biāo)志著該公司在存儲技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)積累和創(chuàng)新能力得到了進(jìn)一步體現(xiàn)。

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