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方彥秋
2小時(shí)前
三星電子加速1e nm DRAM研發(fā)，推動(dòng)內(nèi)存技術(shù)多軌化發(fā)展
2024-12-30 16:23:27
據(jù)韓媒the bell報(bào)道，三星電子正計(jì)劃啟動(dòng)采用常規(guī)結(jié)構(gòu)的1e nm制程DRAM研發(fā)。這一舉措旨在實(shí)現(xiàn)先進(jìn)內(nèi)存開發(fā)的多軌化，為未來可能的商業(yè)化提供更豐富的技術(shù)儲(chǔ)備。
結(jié)合三星前任存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人李禎培今年9月展示的路線圖以及《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》10月的報(bào)道，三星電子原計(jì)劃在2026年推出1d nm內(nèi)存，隨后于2027年推出基于4F2 VCT創(chuàng)新結(jié)構(gòu)的0a nm內(nèi)存。然而，韓媒表示1e nm DRAM有望于2028年推出，若其最終走向商業(yè)化，則4F2 VCT DRAM的量產(chǎn)預(yù)計(jì)將至少延至2029年。
4F2 VCT DRAM的優(yōu)勢(shì)在于其DRAM單元更為小巧，且能更有效利用垂直方向空間。然而，這也意味著其生產(chǎn)流程將引入大量新技術(shù)和新設(shè)備，大幅提升資本支出和生產(chǎn)成本。相比之下，延續(xù)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的1e nm DRAM具有明顯的成本優(yōu)勢(shì)。
內(nèi)部消息人士透露，在經(jīng)歷縮小HBM開發(fā)團(tuán)隊(duì)規(guī)模導(dǎo)致未能在HBM市場占據(jù)有利地位的重大戰(zhàn)略錯(cuò)誤后，三星內(nèi)部忽視非主要產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)的氛圍已有很大改善。這一變化推動(dòng)了1e nm DRAM等“備選技術(shù)”的發(fā)展。
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