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美國商務(wù)部于12月20日正式宣布，根據(jù)《CHIPS》法案激勵計劃，向三星電子提供的直接資金補(bǔ)貼從今年4月初步條款備忘錄中的64億美元減少至47.45億美元，降幅超過四分之一。這一變化直接影響了三星在美半導(dǎo)體領(lǐng)域的投資計劃。

根據(jù)IT之家對比兩份文件，三星電子承諾的在美半導(dǎo)體領(lǐng)域投資規(guī)模從4月的“超過400億美元”降至12月的“超過370億美元”。同時，項目細(xì)節(jié)也進(jìn)行了相應(yīng)調(diào)整。三星原計劃在得克薩斯州泰勒市建設(shè)一座生產(chǎn)3D HBM和2.5D封裝的先進(jìn)封裝設(shè)施，但在最終協(xié)議中刪去了相關(guān)內(nèi)容。此外，三星位于泰勒市的兩座先進(jìn)制程工廠原本計劃專注量產(chǎn)4nm、2nm制程技術(shù)，但最終協(xié)議僅提及了2nm。

這一調(diào)整也導(dǎo)致相關(guān)項目可提供的高薪制造業(yè)工作崗位和建筑工作機(jī)會從4500多個和超17000個降低到了3500多個和約12000個。三星在美先進(jìn)制程產(chǎn)能將重點(diǎn)關(guān)注下一代尖端節(jié)點(diǎn)，而非目前已趨近成熟穩(wěn)定的4nm。同時，三星也暫時擱置了在美提供先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝“一站式”服務(wù)的計劃。

三星新任foundry負(fù)責(zé)人韓真晚曾表示，該部門目前最關(guān)鍵的任務(wù)是實(shí)現(xiàn)2nm產(chǎn)能的快速爬坡。更優(yōu)秀的工藝質(zhì)量也有助于三星泰勒廠2nm贏得美國本土Fabless設(shè)計企業(yè)的青睞。